オランダを国賓として訪問している尹錫悦大統領は12月13日、ルッテ首相と会談し、「半導体同盟」を決めた。
経済安保分野である半導体問題で平常時には緊密に協力し、供給網危機時には共同対応に出る。両国政府は半導体対話チャンネルを新設し、核心品目供給網協議体構成を推進する。 「半導体バリューチェーンにおいて両国の特別な相互補完的関係を認識し、政府・企業・大学を合わせた半導体同盟構築に対する意志を再確認した」。これを実現するため産業当局間の半導体対話を新設し、半導体分野の人材育成プログラムを開設することにした。
合計20項目で構成された「韓国政府とオランダ政府間共同声明」には半導体分野のほかに外交・安保分野と新技術開発に向けた協力案が盛り込まれた。
尹錫悦大統領は12月12日、訪問先のオランダで半導体製造装置大手ASMLの本社を訪れ、次世代EUV装置の製造現場を見学した。
サムスン電子とASMLは12月13日、総額7億ユーロ（約1兆ウォン）を投じて次世代半導体製造技術を研究する「韓国・オランダ 先端半導体アカデミー」を設立し共同運営することにしたと明らかにした。
京畿道華城（キョンギド・ファソン）の東灘（トンタン）先端産業団地近くに作られる。ASMLが半導体メーカーと海外に研究開発センターを設立するのは今回が初めて。今後5年間、先端半導体分野の高級人材500人を養成する予定。
サムスン電子は「ASMLとの協力強化は欧州の半導体バリューチェーン強化と世界的供給網安定性に大きく寄与するだろう」と述べた。
研究センターは次世代極端紫外線（EUV）技術をベースに超微細製造工程とそれに必要な露光装備を開発するのが主目的。ASMLが世界で唯一生産するEUVＶ露光装備は半導体ウエハーに回路を描く核心装備で、半導体は回路線幅が微細なほど性能が高まるため、EUV装備は7ナノメートル以下の微細回路の実現に必須である 。
DRAMの14ナノ工程からは歩留まりと生産単価などの問題でEUV使用が必須であり、最近ではEUVは最先端メモリー（DRAM）工程の核心に浮上している。サムスン電子は「今回の協力を通じて最先端メモリー開発に必要な次世代EUV量産技術を早期に確保し、『メモリー超格差』を通じて30年間守ってきたメモリー世界１位の座をしっかり守っていく計画」と明らかにした。
この日SK HynixもASMLと、EUV工程で電力使用量と炭素排出を減らす技術を共同開発することにした。
現代自動車は車載用半導体市場シェア２位であるオランダ企業NXPなどと協力することにした。
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